7月28至30日，全國(guó)半導(dǎo)體真空科學(xué)儀器暨第三屆全國(guó)銻化物半導(dǎo)體與光機(jī)電系統(tǒng)集成大會(huì)在山西省晉城召開(kāi)。本屆大會(huì)在國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部高技術(shù)中心、山西省政府的共同指導(dǎo)下召開(kāi)；大會(huì)還得到山西省晉城市委、市政府的大力支持。

本次會(huì)議是繼2019年第二屆“全國(guó)銻化物半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展”大會(huì)后的第三屆會(huì)議，由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牛智川研究員團(tuán)隊(duì)發(fā)起。

沈?qū)W礎(chǔ)、陳良惠、范守善、祝世寧、雒建斌、劉明、彭練矛、張躍等學(xué)者到場(chǎng)，與各位參會(huì)專家、地方領(lǐng)導(dǎo)、企商代表就銻化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料、光電器件、系統(tǒng)集成技術(shù)、半導(dǎo)體真空科學(xué)儀器進(jìn)行了深入交流；對(duì)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)迭代、發(fā)展路徑、現(xiàn)實(shí)困境等問(wèn)題進(jìn)行了全方位探討。

學(xué)者代表認(rèn)為：銻化物半導(dǎo)體材料經(jīng)過(guò)近些年的迅猛發(fā)展，已搶占下一代半導(dǎo)體器件技術(shù)的發(fā)展先機(jī)，為紅外光電器件技術(shù)體系變革提供了新的戰(zhàn)略方向；半導(dǎo)體真空科學(xué)儀器設(shè)備自主制造迎來(lái)重大機(jī)遇。

自二十一世紀(jì)初，銻化物半導(dǎo)體納米低維結(jié)構(gòu)外延材料技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破，促使紅外光電器件技術(shù)迅猛發(fā)展。對(duì)比傳統(tǒng)紅外光電材料，銻化物低維結(jié)構(gòu)材料可以覆蓋大部分紅外譜段，芯片制造技術(shù)適用于先進(jìn)的III-V族半導(dǎo)體制造平臺(tái)技術(shù)，使得光電器件技術(shù)性能，特別是紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)實(shí)現(xiàn)前所未有的突破。

短短數(shù)十年，銻化物半導(dǎo)體光電材料和器件技術(shù)“已經(jīng)走出實(shí)驗(yàn)室”，為空間遙感、激光與衛(wèi)星通信、?；芳碍h(huán)境監(jiān)測(cè)檢測(cè)、成像制導(dǎo)夜視、生物醫(yī)學(xué)診斷等高端光電系統(tǒng)或裝備，提供高性能核心器件技術(shù)支撐。

由此，提速國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的自主創(chuàng)新、國(guó)產(chǎn)替代；構(gòu)建完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、形成良性生態(tài)，已經(jīng)成為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的普遍共識(shí)。

目前，中國(guó)在半導(dǎo)體科技研究領(lǐng)域涉及面廣，科研水平日益提高，部分領(lǐng)域已與世界水平持平；科研投入量大，在規(guī)模上稱得上是半導(dǎo)體大國(guó)，但仍存在軟件工具、硬件設(shè)備對(duì)外依賴，成果轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用脫節(jié)等問(wèn)題。唯有協(xié)同努力，開(kāi)拓半導(dǎo)體科技創(chuàng)新發(fā)展之路，全面提振內(nèi)在實(shí)力，才能逐步擺脫封鎖，享有國(guó)際話語(yǔ)權(quán)。