近年來，隨著各種新型化合物半導(dǎo)體材料技術(shù)如氮化鎵等器件的蓬勃發(fā)展，器件尺寸的不斷縮小，電場(chǎng)強(qiáng)度和電流密度卻相對(duì)增加。器件應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，應(yīng)用場(chǎng)景愈來愈復(fù)雜，導(dǎo)致集成電路的設(shè)計(jì)、優(yōu)化與制造越來越困難。由此，準(zhǔn)確的器件測(cè)試不但對(duì)模型建模分析尤其重要，并且已經(jīng)成為器件工藝優(yōu)化本身和后續(xù)電路設(shè)計(jì)不可或缺的環(huán)節(jié)。
本解決方案基于中電儀器的3672系列高性能多功能矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀平臺(tái)。用于微波功率半導(dǎo)體芯片On-Wafer設(shè)計(jì)測(cè)試，可直接測(cè)試增益、增益壓縮、有源交調(diào)等參數(shù)。兼容市場(chǎng)主流的負(fù)載牽引設(shè)備，支持有源諧波牽引；兼容市場(chǎng)主流探針臺(tái)，支持探針臺(tái)及探針定制；兼容PHD諧波模型的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和研制，提供雙頻非線性模型W參數(shù)；兼容市場(chǎng)主流設(shè)計(jì)仿真軟件，提供設(shè)計(jì)仿真工具。提供器件測(cè)試、數(shù)據(jù)分析和模型提取的設(shè)計(jì)測(cè)試解決方案。
功能要點(diǎn)
增益及常規(guī)S參數(shù)測(cè)試功能；
二維增益壓縮快速測(cè)試功能；
有源互調(diào)快速測(cè)試功能；
脈沖S參數(shù)一體化測(cè)試功能；
八通道頻譜模式快速測(cè)試功能；
無源負(fù)載牽引測(cè)試功能；
有源負(fù)載牽引測(cè)試功能；
基于冷源法的等噪聲圓測(cè)試功能；
熱態(tài)參數(shù)測(cè)試測(cè)試功能；
放大器功率增益效率測(cè)試功能；
功能簡(jiǎn)介
優(yōu)化的等功率圓、等效率圓、等增益圓的快速遍歷；
模塊化的系統(tǒng)配置頁(yè)面；
在片校準(zhǔn)過程控制及數(shù)據(jù)分析功能，降低人為因素影響，提高測(cè)試效率；
支持Cascade/MPI等多種型號(hào)探針臺(tái)；
支持獨(dú)有的W參數(shù)模型，兼容X參數(shù)及Cardiff模型；
AWR仿真及半實(shí)物仿真，兼容ADS及IC/CAP；
全國(guó)快速響應(yīng)的技術(shù)服務(wù)與支持。
靈活的有/無源負(fù)載牽引測(cè)試
在片校準(zhǔn)測(cè)試實(shí)時(shí)分析與控制
多種靈活校準(zhǔn)方案及自研校準(zhǔn)件
支持矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀自帶校準(zhǔn)程序，提供TRL、SOLT等算法，使用自主研制的校準(zhǔn)件，并經(jīng)過國(guó)家計(jì)量科學(xué)研究院完成溯源定標(biāo)。
二維增益壓縮快速測(cè)試
脈沖S參數(shù)快速測(cè)試功能
內(nèi)部集成調(diào)制解調(diào)，可進(jìn)行窄帶和寬帶脈沖測(cè)試，提供掃頻、包絡(luò)和脈沖點(diǎn)三種測(cè)試模式，脈沖過度時(shí)間可達(dá)10ns。
互調(diào)失真及頻譜分析的快速測(cè)試
功率增益效率快速測(cè)試
功率半導(dǎo)體的建模數(shù)據(jù)分析
對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，提供腳本解釋執(zhí)行功能。
兼容IC-CAP語法及模型規(guī)范。
兼容多種型號(hào)探針臺(tái)
自研探針
可擴(kuò)展至500GHz
全國(guó)快速響應(yīng)的技術(shù)服務(wù)與支持
采購(gòu)方式靈活，支持整套系統(tǒng)采購(gòu)和在原有設(shè)備基礎(chǔ)上集成升級(jí)。
可進(jìn)行快速技術(shù)支持響應(yīng)。
功能
增益及常規(guī)S參數(shù)測(cè)試功能；
二維增益壓縮快速測(cè)試功能；
有源互調(diào)快速測(cè)試功能；
脈沖S參數(shù)一體化測(cè)試功能；
八通道頻譜模式快速測(cè)試功能；
無源負(fù)載牽引測(cè)試功能；
有源負(fù)載牽引測(cè)試功能；
基于冷源法的等噪聲圓測(cè)試功能；
熱態(tài)參數(shù)測(cè)試功能；
放大器功率增益效率測(cè)試；
支持Cascade/MPI等多種探針臺(tái)；
支持主流功率半導(dǎo)體建模仿真軟件；
支持主流的行為模型，獨(dú)家發(fā)布W參數(shù)模型；
微波探針臺(tái)與探針定制；
支持功率半導(dǎo)體材料微波顯微測(cè)試；
…
應(yīng)用
常規(guī)功率半導(dǎo)體器件S參數(shù)測(cè)試；
功率半導(dǎo)體器件建模；
功率半導(dǎo)體管芯及芯片的在片測(cè)試；
超寬帶大功率寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)計(jì)；
放大器的有源負(fù)載牽引測(cè)試；
THz頻段芯片及器部件的在片研究；
功率半導(dǎo)體材料的失效分析。
